[中國制冷網(wǎng)]  三菱電機宣布，該公司于2010年8月24日發(fā)布的、預定于2010年10月下旬上市的10款空調(diào)產(chǎn)品中的兩款s*次采用了基于SiC功率半導體的逆變器模塊。由此三菱電機部分提前了預定在2011年度開始的SiC功率半導體的量產(chǎn)時間。

    三菱電機表示，與所有硅基產(chǎn)品相比，該逆變器模塊的開關(guān)損耗小約60％。三菱電機計劃在不久的將來把IGBT全部換成SiC功率半導體，而且不僅是逆變器，還將在底板上的轉(zhuǎn)換器中采用SiC功率半導體。據(jù)該公司介紹，“如果這些產(chǎn)品全部采用SiC功率半導體的話，底板的功率模塊部分的尺寸將減至目前的1/2大小”。